Name: Toshiba Semiconductor and Storage TK9A60D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9A60D(STA4,Q,M)
Price: 0.8672 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (638 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage TK9A60D(STA4,Q,M)

Artikelnummer:

TK9A60D(STA4,Q,M)

Hersteller / Marke:

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS

Datenblätte:

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10000+

$0.8672

Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Toshiba Semiconductor and Storage TK9A60D(STA4,Q,M) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments TK9A60D(STA4,Q,M).~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-220SIS
Serie	π-MOSVII
Rds On (Max) @ Id, Vgs	830mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)	45W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack
Paket	Tube
Betriebstemperatur	150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9A (Ta)
Grundproduktnummer	TK9A60
TK9A60D(STA4,Q,M) Einzelheiten PDF [English]	TK9A60D(STA4,Q,M) PDF - EN.pdf

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